[发明专利]电容器结构及形成具有电容器结构的半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202210011080.5 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN115036421A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 江政鸿;巫幸晃;刘家玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/01 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示案揭示电容器结构及形成具有电容器结构的半导体结构的方法。半导体结构包含电容器结构，电容器结构包含第一电容器及第二电容器。第一电容器包含第一底部电极及顶部电极，顶部电极的底表面与第一底部电极的顶表面相距第一距离。第二电容器包含第二底部电极及顶部电极，其中顶部电极的底表面与第二底部电极的顶表面相距第二距离，第一距离不同于第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 形成 具有 半导体 方法 | ||
【主权项】：
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