[发明专利]改善热载流子注入的NMOS的形成方法有效
| 申请号： | 202210012683.7 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114038758B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 高沛雄;江丰顺;张森;王永;吴哲佳 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善热载流子注入的NMOS的形成方法，包括：提供衬底，在衬底内形成P型阱区；在P型阱区上形成栅极以及位于栅极两侧的侧墙；以侧墙为掩膜，向栅极的两侧的P型阱区内进行N型离子注入，以分别形成源区和漏区；以侧墙为掩膜，分别向源区和漏区下方的P型阱区进行N型离子注入，以形成LDD区；以侧墙为掩膜，向源区和LDD区之间的P型阱区以及在漏区和LDD区之间的P型阱区进行P型离子注入，以形成P型离子区。形成P型离子区可以缓冲源区或漏区到LDD的浓度梯度，以改善热载流子的注入，同时，本发明的LDD区可以选择使用源区和漏区的光罩跟着源区和漏区一起形成，减少了形成LDD区的光罩，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 载流子 注入 nmos 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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