[发明专利]一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210013554.X | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114530498A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;侯斌;牛雪锐;杨凌;张濛;武玫;王冲;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法，包括：由下至上依次设置的第一Si衬底层、P‑GaN层、UID‑In |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 电流密度 gan 沟道 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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