[发明专利]用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法有效
| 申请号： | 202210019520.1 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114093785B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 廖军;张志敏 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01N27/04 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法。利用衬底结构中第一材料层相对于第二材料层具有较低的电阻率，从而在产生有微刻蚀缺陷而提前暴露出第一材料层时，即能够使得衬底结构的电阻提前出现突变而被及时的检测到，如此，即可以及时有效的检测出当前刻蚀工艺中是否存在微刻蚀现象而导致微刻蚀缺陷，并且还可以进一步的判断出对应采用的刻蚀设备是否存在异常。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 监控 刻蚀 风险 衬底 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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