[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210026289.9 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114361259A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陆勇;徐亚超;李仁虎 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 成亚婷 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构，包括：衬底、栅极结构以及侧壁结构。衬底包括有源区。栅极结构位于衬底的有源区上。栅极结构包括层叠设置的掩膜层、导电层和栅氧化层。侧壁结构设置在栅极结构的两侧。有源区包括有源区凸起。栅氧化层位于有源区凸起的上方。本公开实施例中，可以利用有源区凸起减少或消除因短沟道效应造成的栅极漏电流，以改善半导体结构的可靠性及使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210026289.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高硬度氧化铝陶瓷的制备方法
- 下一篇：一种自动巡视快速定位目标的方法
- 同类专利
- 专利分类
