[发明专利]掩模层的重工方法及氮化硅蚀刻方法有效
| 申请号： | 202210029442.3 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114050106B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 廖军;张志敏 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种掩模层的重工方法及氮化硅蚀刻方法，所述掩模层的重工方法包括：提供一衬底；去除待重工的掩模层，并使部分厚度的氮化硅层形成为氮氧化硅层；去除部分厚度的氮氧化硅层，且在对氮氧化硅层或氮化硅层执行第一蚀刻工艺时，具有第二厚度的氮氧化硅层和具有第一厚度的氮化硅层在第一蚀刻工艺下的蚀刻时间差异在预设范围内；形成图形化的掩模层。本发明中，通过去除部分厚度的氮氧化硅层，且在利用第一蚀刻工艺蚀刻时具有第二厚度的氮氧化硅层和具有第一厚度的氮化硅层的蚀刻时间差异在预设范围内，从而解决重工掩模层后的氮化硅层在干法蚀刻中报警的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模层 重工 方法 氮化 蚀刻 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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