[发明专利]相变存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 202210031725.1 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114512598A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐雯;蒋雅洁 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种相变存储器及相变存储器的制作方法，相变存储器的制作方法包括：在衬底上依次形成层叠的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层、第二功能层、第三电极层；在衬底的第一区域上形成贯穿第三电极层至第一导电层的第一隔离结构；其中，第一隔离结构沿平行于衬底的第一方向延伸；第一隔离结构将第一电极层分割成第一电极条；在第三电极层上形成第一牺牲层；形成贯穿第一牺牲层至第一电极条的第二隔离结构；其中，第二隔离结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸；第二隔离结构将第一牺牲层分割成第一牺牲条；所述第一牺牲条，形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第二地址线。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司，未经长江先进存储产业创新中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210031725.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于大数据和智慧教育的课堂质量管理方法
- 下一篇：一种能量标定模块及标定方法
