[发明专利]一种TopCon电池的制备方法在审
| 申请号： | 202210034770.2 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114050105A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 余浩;方灵新;单伟;何胜;徐伟智;黄海燕;陆川 | 申请（专利权）人： | 海宁正泰新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/225;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 314400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种TopCon电池的制备方法。与现有技术相比，本发明在TopCon电池正面层积氧化镓，氧化镓可以钝化表面，同时利用氧化镓作为正面P+掺杂剂的来源，镓元素在硅中有较快的扩散系数，再搭配激光进行正面掺杂，可以实现局部的镓元素掺杂，从而实现金属接触区的重掺杂，降低接触电阻，同时实现受光区的轻掺杂，降低表面俄歇复合，提升开路电压，提升填充因子FF，提升电池效率。并且该方法不需要另外提供掺杂剂来源，只需要在正面氧化镓层积后，增加激光掺杂工序，简化了TopCon电池的制备工序，有利于降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 topcon 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
