[发明专利]一种定向生长的GeSe2有效

专利信息
申请号: 202210036202.6 申请日: 2022-01-13
公开(公告)号: CN114368729B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 毛宇亮;邓纪财;吴鑫 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 成都坤伦厚朴专利代理事务所(普通合伙) 51247 代理人: 杨敬禹
地址: 411105*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及电子材料技术领域,具体涉及一种定向生长的GeSe2纳米线及其制备方法。具体技术方案为:一种定向生长的GeSe2纳米线的制备方法,在真空环境下,将硒粉和锗粉在进行分别加热的过程中进行化学气相淀积,记得定向生长的GeSe2纳米线;其中,化学气相淀积的生长基底置于锗粉上方。本发明解决了现有技术中GeSe2纳米线制备方法中工艺复杂,前驱体材料昂贵,制备方法所需时间长,反应条件难以控制,可复制性低等问题。
搜索关键词: 一种 定向 生长 gese base sub
【主权项】:
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