[发明专利]MIM电容器中绝缘体薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202210036753.2 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114388265A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 邓飞;石慧明 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/08 | 分类号： | H01G4/08;H01G4/33;C23C16/34;C23C16/505 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 沈宗晶 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MIM电容器中绝缘体薄膜及其制备方法，所述方法包括：提供一衬底，将衬底放入反应腔室内，向反应腔室通入反应气体，以及通过等离子体增强化学气相沉积法在衬底上沉积形成薄膜。其中，反应气体包括硅源、氮源和稀释气体，反应腔室的压力介于1.8Torr～2.0Torr之间，射频的低频功率介于130W～160W之间，硅源的流量介于540sccm～660sccm之间，氮源的流量介于4950sccm～6050sccm之间，稀释气体的第一流量介于8100sccm～9900sccm之间，第二流量介于8300sccm～10100sccm之间。与现有技术相比，反应腔室的压力增加，射频的低频功率降低，稀释气体的流量增加，硅源与氮源的流量配比调整，通过各工艺参数的改变，不仅可以改善单一衬底内部膜厚的均一性，还可以改善批量衬底的膜厚均一性，从而提高MIM电容器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 绝缘体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210036753.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
