[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210037826.X | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN116487349A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 汤继峰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张竞存;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内分别形成源区和漏区；接触件，位于所述衬底上；所述接触件包括位于所述衬底上的第一接触件和位于所述第一接触件远离所述衬底一侧的第二接触件；其中，所述第一接触件的底面的面积大于所述第二接触件的顶面的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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