[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210039361.1 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114464575A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。该方法包括沉积栅极介电层；在栅极介电层上方沉积功函(WF)金属层；以及穿过蚀刻掩模蚀刻WF金属层，从而去除WF金属层的第一部分，同时保留WF金属层的第二部分，其中WF金属层的第二部分的侧壁暴露。该方法还包括在WF金属层的第二部分的侧壁上形成第一阻挡件并且沉积栅极金属层。栅极金属层的第一部分沉积在栅极介电层上方，栅极金属层的第二部分沉积在第一阻挡件和WF金属层的第二部分上方。第一阻挡件设置在栅极金属层的第一部分与WF金属层的第二部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
