[发明专利]图像传感器的形成方法以及图像传感器在审

专利信息
申请号: 202210042114.7 申请日: 2022-01-14
公开(公告)号: CN116487396A 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 孙玉鑫;陈林;傅璟 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种图像传感器的形成方法以及图像传感器,图像传感器的形成方法包括:提供半导体衬底,形成第一掺杂区;先于所述第一掺杂区内形成若干平行的第一沟槽,于第一沟槽内外延填充第二掺杂材料,形成第一隔离结构;再于所述第一类型掺杂区内形成若干平行的第二沟槽,于第二沟槽内外延填充第二掺杂材料,形成第二隔离结构;其中,所述第一方向与第二方向互不平行,所述第一隔离结构与第二隔离结构交叉并将所述第一掺杂区分隔成若干光电二极管结构。本发明通过分别进行第一方向、第二方向上的沟槽刻蚀与填充,形成像素单元光电二极管周围的隔离区,可以有效解决沟槽交汇处填充困难、缺陷容易产生等技术难题,更有利于小尺寸像素的形成。
搜索关键词: 图像传感器 形成 方法 以及
【主权项】:
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