[发明专利]图像传感器的形成方法以及图像传感器在审
申请号: | 202210042114.7 | 申请日: | 2022-01-14 |
公开(公告)号: | CN116487396A | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 孙玉鑫;陈林;傅璟 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种图像传感器的形成方法以及图像传感器,图像传感器的形成方法包括:提供半导体衬底,形成第一掺杂区;先于所述第一掺杂区内形成若干平行的第一沟槽,于第一沟槽内外延填充第二掺杂材料,形成第一隔离结构;再于所述第一类型掺杂区内形成若干平行的第二沟槽,于第二沟槽内外延填充第二掺杂材料,形成第二隔离结构;其中,所述第一方向与第二方向互不平行,所述第一隔离结构与第二隔离结构交叉并将所述第一掺杂区分隔成若干光电二极管结构。本发明通过分别进行第一方向、第二方向上的沟槽刻蚀与填充,形成像素单元光电二极管周围的隔离区,可以有效解决沟槽交汇处填充困难、缺陷容易产生等技术难题,更有利于小尺寸像素的形成。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 形成 方法 以及 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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