[发明专利]测试非易失性存储设备的方法在审
| 申请号： | 202210044461.3 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN115331725A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 金承范;姜奎满 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在测试包括第一半导体层和先于第二半导体层而形成的第二半导体层的非易失性存储设备的方法中，在第二半导体层中设置有包括页面缓冲电路的电路元件；通过在位线连接电路的内部节点与接收第一电压的电压端子之间提供导电路径，模拟未连接到页面缓冲电路的非易失性存储单元的导通状态，位线连接电路连接在页面缓冲电路的感测节点与位线节点之间；在模拟导通状态时，在页面缓冲电路中执行感测和锁存操作；以及基于感测和锁存操作的结果，确定页面缓冲电路是否正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 非易失性 存储 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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