[发明专利]芯片突变电压测试方法、装置及存储介质有效
| 申请号： | 202210046262.6 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114062905B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 史云龙;詹冰冰;孟宪伟;沈丹江 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R19/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 成亚婷 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片突变电压测试方法、装置及存储介质，芯片突变电压测试方法包括：获取预设标准芯片的电容突变相关值，电容突变相关值为以预设扫描步长扫描预设标准芯片获取；获取测试芯片的预设总步数；根据所述电容突变相关值和所述预设总步数采用预设算法，确定测试芯片的突变电压值。相较于传统逐次扫描电压的方式，测试过程简单，极大降低扫描次数，缩小测试时间，大幅度提高芯片突变电压的测试效率，甚至可以更快的测试整卡lot的良率，适用于大规模量产，且适用于所述MEMS测突变电容产品。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 突变 电压 测试 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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