[发明专利]一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置有效

专利信息
申请号: 202210046994.5 申请日: 2022-01-17
公开(公告)号: CN114065674B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 赵东艳;王于波;鹿祥宾;陈燕宁;付振;董广智;钟明琛;宋彦斌;单书珊;吴峰霞;张肖;刘波;邓超平 申请(专利权)人: 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院
主分类号: G06F30/33 分类号: G06F30/33
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 高英英
地址: 100192 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置,属于集成电路技术领域。预测方法包括:确定CMOS器件的基础EOS失效率;确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子;获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果,并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值,其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大;基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值,建立针对EOS失效率的预测模型,以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析,综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素,所得到的EOS失效率的预测值更为精准,从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
搜索关键词: 一种 cmos 器件 eos 失效 预测 方法 装置
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