[发明专利]一种基于SGT-MOSFET的电压采样结构有效
| 申请号： | 202210048704.0 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114068531B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;姜春亮;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京惟盛达知识产权代理事务所(普通合伙) 11855 | 代理人： | 董鸿柏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于SGT‑MOSFET的电压采样结构，包括：SGT‑MOSFET主元胞区、第一采样元胞区和第二采样元胞区，SGT‑MOSFET主元胞区的源极与第一采样元胞区的源极和第二采样元胞区的源极电连接，SGT‑MOSFET主元胞区与第一采样元胞区和第二采样元胞区的屏蔽栅不存在电气连接，第一采样元胞区的屏蔽栅与第二采样元胞区的屏蔽栅电气连接，终端区包围SGT‑MOSFET主元胞区、第一采样元胞区和第二采样元胞区。本发明提出的基于SGT‑MOSFET的电压采样结构可以得到与器件漏极电压变化趋势相同的电压，及时实现采样，及时反馈。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sgt mosfet 电压 采样 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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