[发明专利]提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法在审
| 申请号： | 202210050040.1 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114583019A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 尹涌;易丁丁;张琰琰;陆香花 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底上生长基础AlN层之后，在基础AlN层的表面沉积石墨烯层之后对基础AlN层进行退火处理，提高得到的基础AlN层的晶体质量。基础AlN层上还沉积有石墨烯层，较为致密且与基础AlN层化学性质差别较大的石墨烯层覆盖基础AlN层的表面，可以抑制基础AlN层的表面在退火过程会出现的氮原子解吸附过程，提高基础AlN层退火之后的内部晶体质量以及表面平整度，也减少杂质吸附。得到质量较好的基础AlN层并在质量较好的基础AlN层上依次生长n型层、发光层与p型层，有效提高最终得到的发光二极管外延片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 晶体 质量 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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