[发明专利]半导体器件结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210054266.9 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114628522A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;余佳霓;卢俊甫;江国诚;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体器件结构。该半导体器件结构包括形成在衬底上方的鳍结构和形成在鳍结构上方的栅极结构。该栅极结构包括第一层和在第一层上方的填充层。该栅极结构包括形成在栅极结构的填充层上方的保护层，并且保护层通过填充层与第一层分离。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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