[发明专利]一种基于易失性三维忆阻器的三维储备池及其制作方法

摘要

本发明提供了一种基于易失性三维忆阻器的三维储备池及其制作方法，三维储备池中每个通孔内的存储层、选择层和电极层构成一个忆阻器即形成一个储备池单元，基于叠层结构以及多个通孔形成一种基于易失性三维忆阻器的三维储备池，具体的本发明采用基于三维忆阻器动态特性产生的虚拟节点构建三维储备池，首先构建界面型忆阻器通过电学测试证实其易失特性，并基于该易失性忆阻器制备垂直三维阵列，通过肖特基势垒调节器件动态特性，三维储备池的不同层分别对应不同层的储备池，通过对不同层的器件分别调控来构建不同的存储池，增加了虚拟节点的丰富性，提高了系统的并行度和识别准确率，并减小了系统的面积。