[发明专利]一种清洗锗晶片的方法及其应用有效
| 申请号： | 202210057083.2 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114082740B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 任殿胜;史铎鹏;刘岩 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B11/00 | 分类号： | B08B11/00;B08B3/08;B08B3/00;B08B7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101149 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本申请涉及锗晶片清洗的技术领域，具体公开了一种清洗锗晶片的方法及其应用。清洗锗晶片的方法，包括以下步骤：步骤S1：将除污凝胶均匀涂覆于锗晶片表面，以水蒸气直接加热除污凝胶，冷却，干燥，除去除污凝胶；步骤S2：将锗晶片放置于碱性氧化液中浸泡，取出，所述碱性氧化液的原料包含NH |
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| 搜索关键词： | 一种 清洗 晶片 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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