[发明专利]一种提高金纳米电极阵列空间分辨率的方法有效
| 申请号： | 202210058141.3 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114487053B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 刘松琴;李秀秀 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N21/76;G01N21/64 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王艳 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提高金纳米电极阵列空间分辨率的方法，包括以下步骤：金纳米电极阵列的制备；通过电聚合及共价偶联法将电致荧光分子修饰到独立单根金纳米电极表面；导电电解质的选择；电光转换体系的构筑；在外加电压作用下，通过改变施加电压的方向，实现电致荧光分子的荧光信号的“开关”控制。本发明通过电聚合导电聚合物及共价偶联的方式将电致荧光分子共价偶联到单根金纳米电极表面，有效地解决了荧光溶液扩散的问题。结合荧光共聚焦显微镜实现了单根金纳米电极阵列上的荧光信号的分辨，并通过循环伏安法改变施加电压的方向实现了荧光信号的“开关”控制。该方法的提出为后期提高空间分辨率提供了良好的思路和有效的指导方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 纳米 电极 阵列 空间 分辨率 方法 | ||
【主权项】：
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