[发明专利]用于在多层系统的第一半导体层中形成沟道的方法在审
| 申请号： | 202210060341.2 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114823322A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | C·施文克;N·肖尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;B81C1/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在多层系统的第一半导体层中形成沟道的方法，其包括在第一半导体层上施加掩模层，其中形成槽口，从而槽口内的第一半导体层暴露；施加保护层，其覆盖掩膜层和第一半导体层；在保护层上施加第二半导体层；蚀刻第二半导体层，使得其在包围掩模层槽口的区域中被去除，保护层起蚀刻停止层作用并在去除的子区域中暴露；蚀刻保护层，使得槽口内的第一半导体层暴露；在第一半导体层中形成沟道，掩模层槽口用作蚀刻掩模，且沟道通过蚀刻与钝化步骤之间的周期性交替形成，通过蚀刻步骤去除第一半导体层的材料，且通过钝化步骤钝化沟道内壁，第一蚀刻步骤比后续步骤时间长，从而在沟道上边缘的材料去除量比在位于其下方区域中的材料去除量大。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多层 系统 第一 半导体 形成 沟道 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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