[发明专利]一种存储结构和半导体存储器在审
申请号: | 202210060541.8 | 申请日: | 2022-01-19 |
公开(公告)号: | CN114420173A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 曹玲玲 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C5/06 | 分类号: | G11C5/06 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张竞存;张颖玲 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本公开实施例提供了一种存储结构和半导体存储器,该存储结构包括控制模块、多个信号处理模块以及与多个信号处理模块对应连接的多个BG模块;其中,控制模块,用于接收初始命令信号,并对初始命令信号进行延时处理,得到目标控制信号;信号处理模块,用于接收BG信号以及目标控制信号,并对BG信号和目标控制信号进行信号合并处理,得到具有BG信息的目标信号;其中,BG信号携带有BG信息,BG信息用于确定目标信号对应发送的BG模块。这样,该存储结构能够消除信号在传递过程中的偏差,使得信号传递时序统一,而且还能够减小电路面积,节省静态功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储 结构 半导体 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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