[发明专利]一种存储结构和半导体存储器在审

专利信息
申请号: 202210060541.8 申请日: 2022-01-19
公开(公告)号: CN114420173A 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 曹玲玲 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G11C5/06 分类号: G11C5/06
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 张竞存;张颖玲
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本公开实施例提供了一种存储结构和半导体存储器,该存储结构包括控制模块、多个信号处理模块以及与多个信号处理模块对应连接的多个BG模块;其中,控制模块,用于接收初始命令信号,并对初始命令信号进行延时处理,得到目标控制信号;信号处理模块,用于接收BG信号以及目标控制信号,并对BG信号和目标控制信号进行信号合并处理,得到具有BG信息的目标信号;其中,BG信号携带有BG信息,BG信息用于确定目标信号对应发送的BG模块。这样,该存储结构能够消除信号在传递过程中的偏差,使得信号传递时序统一,而且还能够减小电路面积,节省静态功耗。
搜索关键词: 一种 存储 结构 半导体 存储器
【主权项】:
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