[发明专利]一种基于掺铁二氧化钛的电芬顿阴极及其制备方法和应用有效
申请号: | 202210066626.7 | 申请日: | 2022-01-20 |
公开(公告)号: | CN114349129B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 穆杨;刘晓成;宋俊生;张坤晓 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01M4/96 | 分类号: | H01M4/96;H01M4/88;B01J23/745;C02F1/461;C02F1/72;C02F103/34;C02F101/30 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 卢敏 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于掺铁二氧化钛的电芬顿阴极及其制备方法和应用,是通过水热法在基底电极表面原位生长二氧化钛纳米花后,再水热负载羟基,最后再在铁盐溶液中浸渍从而获得。本发明利用二氧化钛的配位效应增强铁位点共价性,从而增强铁位点对体系中氢氧根离子的抗干扰能力,使得阴极电芬顿反应可在宽pH下持续高效进行。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 掺铁二 氧化 电芬顿 阴极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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