[发明专利]室温下具有高活性性能的MoS2-x有效

专利信息
申请号: 202210067720.4 申请日: 2022-01-20
公开(公告)号: CN114477103B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 阴明利;张了川;梁煜宇 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;G01N27/00;B82Y40/00;B82Y15/00
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种室温下具有高活性性能的MoS2‑xSex分级气敏材料及制备方法。步骤如下:首先将钼酸钠、硫脲和一水柠檬酸溶解到去离子水中配成溶液A,并将特定量的硒粉溶于水合肼溶液配制成水合硒前驱体溶液B;其次在强力搅拌下将溶液B缓慢滴加到溶液A中并继续搅拌一定时间,将所得最终溶液经过水热反应后得到MoS2‑xSex纳米材料;最后将MoS2‑xSex纳米材料在氩气氛围中进行高温退火处理以激活材料的基面,最终得到高活性MoS2‑xSex纳米材料。该方法具有工艺简单和经济低耗的优点,同时所得产物气敏性能优异,在室温下对50ppm的NO2气体中响应(Ra/Rg)高达92,响应和恢复时间仅为25秒和22秒,探测极限可达10ppb。
搜索关键词: 室温 具有 活性 性能 mos base sub
【主权项】:
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