[发明专利]光刻设备、气浴装置及其气浴发生器在审
| 申请号： | 202210068296.5 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114460814A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王魁波;吴晓斌;韩晓泉;罗艳;沙鹏飞;李慧;孙家政;谢婉露;马赫;谭芳蕊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 张力 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻设备、气浴装置及其气浴发生器，其中气浴发生器包括封闭环体，所述封闭环体围绕工作区域设置，且所述封闭环体的内部形成环形流道，所述封闭环体上还设置有与所述环形流道连通的周向分布的出气口，所述出气口产生围绕所述工作区域分布的封闭气流层。本发明提供的气浴发生器能够用于光刻设备，并沿周向围绕光刻设备曝光区域设置，在曝光区域的周边形成一圈与外界隔离的封闭气流层，解决了如何降低光刻设备内位于曝光区域的硅片微环境的气体污染和颗粒污染的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 装置 及其 发生器 | ||
【主权项】：
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