[发明专利]一种快速热处理方法以及装置在审
| 申请号： | 202210072936.X | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114400183A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李伟;晏陶燕 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王花丽;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种快速热处理方法以及装置，其中，所述快速热处理方法，包括：提供晶圆；对所述晶圆进行第一加热步骤，使所述晶圆升温至第一温度；控制所述晶圆开始旋转；维持所述第一温度持续第一预定时间；对所述晶圆进行第二加热步骤，使所述晶圆从第一温度升温至第二温度，并维持所述第二温度持续第二预定时间；对所述晶圆进行第三加热步骤，使所述晶圆从第二温度升温至第三温度，并维持所述第三温度持续第三预定时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 热处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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