[发明专利]一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4

摘要

一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法，属于纳米功能材料领域。步骤：1)在溶解有碘化钾、硝酸铋的水溶液中加入对苯醌、乙醇充分搅拌；2)以上述溶液为电解液，电沉积5～15min，可在导电衬底上沉积得到铋氧碘(BiOI)薄膜；3)再将乙酰丙酮氧钒溶于二甲基亚砜中，加入适量的钴源、镧源搅拌混合均匀；4)移取上述混合有钒源、钴源和镧源的二甲基亚砜溶液均匀涂覆于铋氧碘(BiOI)薄膜上；5)转移至马弗炉中以400‑550℃温度煅烧1～2h；6)取出样品并将其浸泡于氢氧化钠溶液中30‑60min，清洗、干燥，得到钴镧共掺钒酸铋(Co/La‑BiVO4)纳米多孔电极。优点：钴镧元素共掺能有效增强BiVO4薄膜的可见光响应，得到了更佳的光电化学制氢性能。