[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202210078217.9 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN116525667A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 林个惟;邱钧杰;林君玲;黄淑旻;黄信富 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率电晶体晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包括基底、沟道层、势垒层以及钝化层。一接触结构设置在该钝化层上并且延伸穿过该钝化层和该势垒层而与该沟道层直接接触。该接触结构包括一金属层，其中该金属层包括一金属材料以及掺杂在该金属材料中的第一添加剂。该第一添加剂于该金属层的重量百分浓度介于0％至2％之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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