[发明专利]硼掺杂选择性发射极、制备方法及N型太阳能电池

摘要

本发明提供一种硼掺杂选择性发射极、制备方法及N型太阳能电池，所述制备方法包括：对N型硅片进行预处理；在预处理后的N型硅片的正面以低压气相沉积的方式制备硼掺杂多晶硅层，得到半成品；对半成品依次进行激光掺杂与退火，得到硼掺杂选择性发射极；硼掺杂多晶硅层包括硅沉积层与硼沉积层，硅沉积层与硼沉积层呈叠层分布。本发明基于低压化学气相沉积工艺，可在低温与较短的工艺时间内，制备得到高掺杂浓度的硼掺杂选择性发射极，不仅降低了发射极的金属接触区域和非金属区域的复合，确保了掺杂效率，而且可增加金属栅线和半导体部分的欧姆接触特性，以及增加填充因子，提升N型太阳能电池的光电转换效率。