[发明专利]一种巨介电常数、低介电损耗陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210081121.8 申请日: 2022-01-24
公开(公告)号: CN114436643A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 成鹏飞;王丹 申请(专利权)人: 西安工程大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622;C04B35/64
代理公司: 北京中索知识产权代理有限公司 11640 代理人: 翁松青
地址: 710048 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种利用固相烧结法制备巨介电常数、低介电损耗的钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12,以下简写为CCTO)陶瓷材料的方法,属于电子陶瓷材料制备的技术领域。本发明的巨介电常数、低损耗CCTO陶瓷材料,其特征在于:由主料(CaCu3Ti4O12)及添加剂(Nb2O5)组成,化学组成为CaCu3Ti4‑xNbxO12,其中0≤x≤0.08;在空气气氛下,将CaCO3、CuO、TiO2以及Nb2O5按比例混合后预烧,然后干压成型,压制成形的生坯升温进行排胶处理,然后继续烧结,最后随炉冷却至室温,获得巨介电常数、低介电损耗陶瓷材料。本发明所用方法工艺简单,易操作,重复性高,样品性能稳定性高,易于实现规模化生产。
搜索关键词: 一种 介电常数 低介电 损耗 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
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