[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210082019.X | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114429941A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 范纯圣;林蔚峰 | 申请（专利权）人： | 豪威半导体（上海）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/367;H01L27/146;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 尤彩红 |
| 地址： | 201611 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：相对设置的硅基板和透明基板，硅基板面向透明基板的一侧表面周侧设置有第一电极，透明基板面向硅基板的一侧表面周侧设置有第二电极；第一电极与第二电极电连接；转接载板，转接载板在位于硅基板至少一边的远离硅基板区域中设置有引线电极；引线电极与第二电极电连接，并将第二电极的电信号引至转接载板远离硅基板的一侧表面。本发明引线电极设置在转接载板位于硅基板至少一边的远离硅基板区域中，即引线电极可由硅基板周边的至少一侧引出，再藉由转接载板引至背侧。可支持高密度引线电极多边出线，简洁化制程工艺。同时，将电信号引至背侧，节省了半导体器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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