[发明专利]一种自支撑磷化钴纳米线电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210089199.4 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114394580B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 姚福兵;唐崇俭;李智卓;吴星;柴立元;林璋;闵小波;唐溪;刘治功;高天宇;肖睿洋;赵飞平;刘恢 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C25B11/075 | 分类号： | C25B11/075 |
| 代理公司： | 长沙知行亦创知识产权代理事务所(普通合伙) 43240 | 代理人： | 严理佳 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自支撑磷化钴纳米线电极的制备方法，包括步骤：S1，将钴材料与草酸进行固液反应，得钴材料表面原位生长草酸钴；S2、将所述钴材料表面原位生长草酸钴与磷源在热处理的条件下结合，得所述自支撑磷化钴纳米线电极。通过将富含钴的磷化钴纳米线原位生长在钴材料表面，得到了活性高、选择性好、稳定性佳、以及具有纳米线特殊形貌的自支撑磷化钴电极，其不仅能避免催化剂的团聚，更具有较高的电荷密度和更多的电化学活性位点，还能形成自支撑的纳米线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 磷化 纳米 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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