[发明专利]转移装置及其制作方法在审
| 申请号： | 202210090720.6 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114464567A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘忠鹏 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B29C35/02;H01L33/48 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种转移装置及其制作方法，转移装置包括基板和转移层，转移层包括多个间隔设置的转移吸头，其中，转移吸头的材料包括基材以及磁性材料，转移吸头的粗糙度范围为Ra17μm‑Ra23μm。本申请将基材与磁性材料混合作为转移吸头的材料，在转移装置的制作方法中，采用控制磁场的方式，利用磁场对所述转移吸头的材料的影响，形成转移吸头，避免了使用模具对转移吸头进行制作，使得转移吸头表面的粗糙度范围在Ra17μm‑Ra23μm内，有效提升了转移吸头的转移效率。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
