[发明专利]与深沟槽隔离结构一起集成的金属栅格结构

摘要

本公开涉及与深沟槽隔离结构一起集成的金属栅格结构。将高k钝化层、抗反射涂层及缓冲层安置于半导体衬底上方，所述半导体衬底包含形成于其中的光电二极管。穿过所述缓冲层、抗反射涂层及所述高k钝化层以环绕所述半导体衬底中的所述光电二极管中的每一者的栅格状图案向所述半导体衬底中蚀刻沟槽。另一高k钝化层内衬于所述半导体衬底中的所述沟槽的内部。在内衬于所述沟槽的所述内部的所述高k钝化层上方沉积粘合剂与阻障层。用在所述粘合剂与阻障层上方沉积到所述沟槽中以填充所述沟槽的导电材料形成深沟槽隔离DTI结构。在所述DTI结构上方及所述缓冲层的平面上面形成栅格结构。所述栅格结构是由所述导电材料形成。