[发明专利]一种高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202210093981.3 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114381040A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李科;彭明云;黄丙亮;程杰;左文燕;胡磊 | 申请（专利权）人： | 四川轻化工大学 |
| 主分类号： | C08K9/12 | 分类号： | C08K9/12;C08K7/00;C08L79/08;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京百年育人知识产权代理有限公司 11968 | 代理人： | 张鹭丝 |
| 地址： | 643000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于有机/无机复合材料领域，公开了一种具有高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法。该复合材料由聚酰亚胺为基体，以聚酰亚胺包裹片状石墨(FG)制备FG@PI复合颗粒为介电填料，制备聚PI/FG@PI复合薄膜材料。其中，FG@PI复合颗粒所占的聚酰亚胺的量份数为5‑50wt％。按照本发明的制备方法，能够获得较高的介电常数、极低的介电损耗的聚酰亚胺PI/FG@PI复合薄膜。本发明制备的高介电常数聚酰亚胺复合薄膜材料用于高密度的能量存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 聚酰亚胺 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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