[发明专利]全模制桥接中介层及其制造方法在审
| 申请号： | 202210095409.0 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114792672A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | C·桑德斯特伦;B·S·约塞;T·L·奥森;C·必绍普;J·凯勒;E·赫德森 | 申请（专利权）人： | 德卡科技美国公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/485;H01L21/60;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;何晓同 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及全模制桥接中介层及其制造方法。半导体装置可以包括桥接晶粒，所述桥接晶粒包括铜螺柱。铜立柱可以布置在桥接晶粒的外围。密封剂可以布置在桥接晶粒的五个侧面上、铜螺柱的侧面上以及铜立柱的侧面上，使得铜螺柱的端部以及铜立柱的相反的第一端和第二端从密封剂暴露。正面层积互连结构可以形成在桥接晶粒的铜螺柱上方并且接合到与铜立柱的第一端相反的铜立柱的第二端。正面层积互连结构包括在桥接晶粒的覆盖区内具有第一中心距的第一焊盘和在桥接晶粒的覆盖区外具有第二中心距的第二焊盘。第一中心距可以至少比第二中心距小1.5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 全模制桥接 中介 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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