[发明专利]一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法在审
| 申请号： | 202210097229.6 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114496797A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈勇跃;谭俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法，提供基底，位于基底上相互间隔的多晶栅；多晶栅之间为源漏外延区域；源漏外延区域形成有凹槽；在凹槽中通过添加HCl气氛外延形成种子层；在种子层上通过添加HCl气氛外延形成体层；在体层上外延形成帽层；通入HCl作为刻蚀气体，同时原位通入GeH4气氛催化加强刻蚀，使得帽层被回刻。本发明提供多晶栅覆盖层上改善附着缺陷的锗硅原位催化外延方法，包含种子层，以及体层和帽层。提升对源漏区薄膜和多晶栅覆盖区缺陷的刻蚀选择比，在回刻帽层时迅速将多晶栅覆盖层处的缺陷消除，完成整个外延过程，从而实现器件同时满足良率的保持和高产能输出的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 多晶 覆盖层 附着 缺陷 外延 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
