[发明专利]一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202210098922.5 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114899314A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 徐勇;高相林;严宇;陈泉桦;饶锦航;戴晓菡;陈子龙;于志浩;孙华斌;吴洁 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 210023 江苏省盐城市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，制备方法包括以下具体步骤：步骤1：溶液的制备，包括半导体溶液的配置和溶液的溶解步骤；步骤2：器件的制备，包括衬底的清洗、半导体薄膜和源漏电极的制备以及栅极的制备步骤，源漏电极的制备采用常规的真空热蒸发法利用不锈钢掩膜版在衬底上蒸镀50nm的金作为源漏电极，本发明与现有制备工艺相比，可以在保证器件工作状态最佳的情况下，确认可以使用的最薄半导体层厚度，大大减小了半导体材料的使用浪费，优化了有机薄膜晶体管的亚阈值摆幅、阈值电压以及接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 交错 聚合物 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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