[发明专利]背照式CMOS传感器中取晶粒的方法和应用有效
| 申请号： | 202210099442.0 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114486439B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 吴嘉杰;季春葵;郑朝晖 | 申请（专利权）人： | 上海季丰电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘建荣 |
| 地址： | 200100 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种背照式CMOS传感器中取晶粒的方法和应用，涉及CMOS传感器技术领域。该方法先将背照式CMOS传感器进行混酸处理，再将得到的预处理晶粒靠近电路层的一侧平整固定在硅片上，对预处理晶粒远离电路层的一侧进行任选的一次研磨以除去可能残留的封装料，然后进行反应离子刻蚀和二次研磨以使电路层完整的暴露出来并保持一定的平整度，得到晶粒；其中，将预处理晶粒平整固定在硅片上，硅片的设置可为电路层提供支撑作用，使得在后续提取过程中不会出现电路层脱落或者分层等问题，从而实现晶粒的完整且完好的提取，为后续失效分析工作提供了基础。本发明还提供了背照式CMOS传感器的失效分析方法。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 传感器 晶粒 方法 应用 | ||
【主权项】：
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