[发明专利]一种基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置在审
| 申请号： | 202210099708.1 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114487942A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘翡琼 | 申请（专利权）人： | 刘翡琼 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及交变磁场探测领域，具体涉及一种基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，包括衬底层、导电金属层、光敏半导体层、透明导电材料层、四氧化三铁颗粒，导电金属层置于衬底层上，光敏半导体层置于导电金属层上，透明导电材料层置于光敏半导体层上，导电金属层的功函数高，透明导电材料层的功函数低，四氧化三铁颗粒与光敏半导体层接触。应用时，导电金属层和透明导电材料层分别通过电极连接外电路，用以测量导电金属层和透明导电材料层之间的电流；同时，应用光照射光敏半导体层。本发明具有交变磁场探测灵敏度高的优点。另外，本发明不需要线圈等部件，装置尺寸小，在交变磁场探测领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光敏 半导体材料 磁场 探测 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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