[发明专利]碳化硅竖直导电MOSFET装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210105281.1 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114823905A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | M·G·萨吉奥;A·M·弗拉泽托;E·扎内蒂;A·瓜尔内拉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;闫昊 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及碳化硅竖直导电MOSFET装置及其制造方法。一种竖直导电MOSFET装置包括具有第一导电类型和表面的碳化硅本体。金属化区域在本体的表面上延伸。第二导电类型的本体区域在本体中从本体的表面沿平行于表面的第一方向且沿垂直于表面的第二方向延伸。第一导电类型的源极区域从本体的表面朝向本体区域的内部延伸。源极区域具有第一部分和第二部分。第一部分具有第一掺杂水平且与金属化区域直接电接触地延伸。第二部分具有第二掺杂水平且与源极区域的第一部分直接电接触地延伸。第二掺杂水平低于第一掺杂水平。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 竖直 导电 mosfet 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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