[发明专利]一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构有效
| 申请号： | 202210107442.0 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114429988B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 张跃;张先坤;张铮;于慧慧;黄梦婷;汤文辉;高丽;卫孝福 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构，所述半导体模块为二维半导体材料，所述金属电极模块为表面无悬挂键的二维半金属材料，所述二维半导体材料与二维半金属材料之间界面为表面粗糙度在0.01‑1nm且表面无悬挂键的范德华界面，所述二维半导体材料与二维半金属材料的层间距小于1nm；本发明的二维半金属材料具有合适的高功函数，以匹配半导体材料的能带边缘，并最终确保接近零的肖特基势垒，其场效应晶体管在室温下显示出创纪录高迁移率，减少肖特基势垒的全二维接触，并展示了其减少肖特基势垒的优化机制，有助于基于二维半导体的肖特基结设计和优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 金属电极 金属 半导体 接触 结构 | ||
【主权项】：
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