[发明专利]半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 202210109994.5 | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN115117143A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡劲;苏圣凯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：在衬底上方沉积介电层；在介电层上形成碳纳米管；在碳纳米管上形成伪栅极堆叠件；在伪栅极堆叠件的相反侧上形成栅极间隔件；以及去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成沟槽。碳纳米管暴露于沟槽。该方法还包括：蚀刻位于碳纳米管下方的介电层的一部分，其中碳纳米管被悬置；形成围绕碳纳米管的替代栅极电介质；以及形成围绕替代栅极电介质的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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