[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210110675.6 | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN115116987A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 李育承;叶书伸;许佳桂;林柏尧;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/04;H01L23/16;H01L25/07;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构包括：衬底；封装件，附接至衬底的第一表面，其中，封装件包括：中介层，其中，中介层的第一侧通过第一导电凸块接合至衬底的第一表面；管芯，附接至中介层的与第一侧相对的第二侧；以及模制材料，位于管芯周围的中介层的第二侧上；多个热界面材料(TIM)膜，位于封装件的远离衬底的第一表面上，其中，TIM膜的每个直接设置在管芯中的至少一个相应管芯上方；以及散热盖，附接至衬底的第一表面，其中，封装件和多个TIM膜设置在散热盖和衬底之间的封闭间隔中，其中，散热盖接触多个TIM膜。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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