[发明专利]单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器

摘要

本发明公开一种单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器，包含有一源极、一漏极、一介电层以及一电极层。源极以及漏极位于一基底中，其中源极以及漏极具有一第一导电型。介电层设置于基底上且位于源极以及漏极之间，其中介电层包含第一介电层，第一介电层具有分隔的两个穿隧介电部分，且两个穿隧介电部分的厚度薄于第一介电层的其他部分的厚度。电极层设置于介电层上，其中电极层包含一第一电极设置于第一介电层上，因而第一电极为一浮置栅极。