[发明专利]一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置有效
| 申请号： | 202210124257.2 | 申请日： | 2022-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN114411236B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F30/28 | 分类号： | G06F30/28;G06F111/06;G06F113/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 初春 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区花*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置。该模拟晶体的生长方法包括：建立晶体生长计算流体力学模型，其中，所述晶体生长计算流体力学模型的虚拟晶体生长环境模拟实际晶体生长环境；虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整；虚拟晶体每生长第一预设时间，将调整之后的长晶工艺参数作为所述虚拟晶体继续生长的长晶工艺参数。本发明实施例提供的技术方案实现了一种可以准确模拟晶体生长全程的情况，并且对于实际晶体生长的全过程的长晶工艺参数具有指导价值的模拟晶体的生长方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模拟 晶体 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
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