[发明专利]具有使用选择性生长形成的底部部分的堆叠过孔在审
| 申请号： | 202210125603.9 | 申请日： | 2022-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN115084085A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | A·C-H·韦;G·布歇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了用于制作IC结构的方法以及所得到的IC结构，所述IC结构包括在金属化堆叠体的不同层的金属线之间提供电连接的堆叠过孔。一种示例性IC结构包括第一金属化层和第二金属化层，它们分别包括底部金属线和顶部金属线。IC结构进一步包括具有底部过孔部分和顶部过孔部分的过孔，其中，顶部过孔部分堆叠在底部过孔部分之上(因而，该过孔可以被称为“堆叠过孔”)。底部过孔部分耦合并且自对准到底部导电线，而顶部过孔部分耦合并且自对准到顶部导电线。底部过孔部分是使用例如通过自组装单层(SAM)材料辅助的选择性生长形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 使用 选择性 生长 形成 底部 部分 堆叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
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