[发明专利]缺陷型-金属掺杂氧化钛纳米管阵列超级电容器电极材料的制备方法在审
| 申请号： | 202210128687.1 | 申请日： | 2022-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN114864290A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 蔺华林;李腾飞;董振标;赵玉壮;原雅杰;潘艳杰;马俊杰;秦冬梅;李梦琰 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | H01G11/22 | 分类号： | H01G11/22;H01G11/46;H01G11/26;H01G11/86 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 顾艳哲 |
| 地址： | 201418 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种缺陷型‑金属掺杂氧化钛纳米管阵列超级电容器电极材料的制备方法，具体包括以下步骤：预处理干燥后的Ti‑Nb合金片经阳极氧化和热处理晶化后得到晶化态Nb掺杂氧化钛纳米管阵列，然后通过一步电化学还原法，得到Ti |
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| 搜索关键词： | 缺陷 金属 掺杂 氧化 纳米 阵列 超级 电容器 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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